IXFN32N80P
Modul; en enskild transistor; 800V; 29A; SOT227B; skruvad; 625W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN32N80P
TMEs Symbol:
IXFN32N80P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 800V | |
Dränspänning | 29A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,27Ω | |
Pulserande drain-ström | 250A | |
Effektdissipation | 625W | |
Teknik | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 150nC | |
Beredskapstid | 250ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt36.98 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 29.50 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 36.88 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 26.60 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 33.25 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 23.41 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 29.26 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st