IXFN360N15T2
Modul; en enskild transistor; 150V; 310A; SOT227B; skruvad; 1070W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN360N15T2
TMEs Symbol:
IXFN360N15T2
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 150V | |
Dränspänning | 310A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 4mΩ | |
Pulserande drain-ström | 900A | |
Effektdissipation | 1,07kW | |
Teknik | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 715nC | |
Beredskapstid | 150ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.17 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N15T2Antal stycken (Multipel: 300)
0 i lager hos TME
Produkt på specialbeställning
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st