+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Ring oss +48 42 645 54 44

Registrera dig

Quick Buy Favoriter

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

Databehandling pågår

Din kreditgräns är öveskriden. Beställningen blev emottagen men kommer inte att exekveras. Tidplan för beställda artiklar kommer inte heller att fastställas. Kontakta TMEs personal.

Uppgiften utfördes med framgång.

Det uppstod ett oväntat fel. Försök igen.

Tillverkare	IXYS
Typ av halvledarmodul	transistor MOSFET
Halvledarstruktur	en enskild transistor
Drän-källa spänning	1,1kV
Dränspänning	34A
Kapsling	SOT227B
Elektriskt montage	skruvad
Polaritet	enpolig
Ledresistans	0,26Ω
Pulserande drain-ström	100A
Effektdissipation	890W
Teknik	HiPerFET™, Polar™
Sort av kanal	anrikad
Portens laddning	310nC
Beredskapstid	300ns
Port-källa spänning	±40V
Mekaniskt montage	skruvad

IXFN40N110P

Modul; en enskild transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; skruvad; 890W

Specifikation