IXFN40N110Q3
Modul; en enskild transistor; 1,1kV; 35A; SOT227B; skruvad; 960W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN40N110Q3
TMEs Symbol:
IXFN40N110Q3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 1,1kV | |
Dränspänning | 35A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,26Ω | |
Pulserande drain-ström | 100A | |
Effektdissipation | 960W | |
Teknik | HiPerFET™, Q3-Class | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 300nC | |
Beredskapstid | 434ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt35.71 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110Q3Antal stycken (Multipel: 1)
2 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 20.51 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 25.64 EUR
Produkten är tillgänglig endast så länge lagret räcker
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st