IXFN56N90P
Modul; en enskild transistor; 900V; 56A; SOT227B; skruvad; 1000W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN56N90P
TMEs Symbol:
IXFN56N90P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 900V | |
Dränspänning | 56A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,145Ω | |
Pulserande drain-ström | 168A | |
Effektdissipation | 1kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 375nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.34 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN56N90PAntal stycken (Multipel: 300)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 300 st - 43.40 EURBruttopris för kvantiteter från 300 st - 54.25 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st