IXFN60N80P
Modul; en enskild transistor; 800V; 53A; SOT227B; skruvad; 1040W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN60N80P
TMEs Symbol:
IXFN60N80P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 800V | |
Dränspänning | 53A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,14Ω | |
Pulserande drain-ström | 150A | |
Effektdissipation | 1,04kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 250nC | |
Beredskapstid | 250ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.31 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 39.81 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 49.76 EUR
Nettopris för kvantiteter från 2 st - 38.31 EURBruttopris för kvantiteter från 2 st - 47.88 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 36.91 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 46.13 EUR
Nettopris för kvantiteter från 5 st - 35.71 EURBruttopris för kvantiteter från 5 st - 44.63 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st