IXFN62N80Q3
Modul; en enskild transistor; 800V; 49A; SOT227B; skruvad; 960W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN62N80Q3
TMEs Symbol:
IXFN62N80Q3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 800V | |
Dränspänning | 49A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 0,14Ω | |
Pulserande drain-ström | 180A | |
Effektdissipation | 960W | |
Teknik | HiPerFET™, Q3-Class | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 0,27µC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.08 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN62N80Q3Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 63.50 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 79.38 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 56.10 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 70.13 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 50.40 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 63.00 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st