IXFN80N50
Modul; en enskild transistor; 500V; 80A; SOT227B; skruvad; 694W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN80N50
TMEs Symbol:
IXFN80N50
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 500V | |
Dränspänning | 80A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 55mΩ | |
Pulserande drain-ström | 320A | |
Effektdissipation | 694W | |
Teknik | HiPerFET™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 380nC | |
Beredskapstid | 250ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.16 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50Antal stycken (Multipel: 300)
0 i lager hos TME
Produkt på specialbeställning
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st