IXFN80N60P3
Modul; en enskild transistor; 600V; 66A; SOT227B; skruvad; 960W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN80N60P3
TMEs Symbol:
IXFN80N60P3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 600V | |
Dränspänning | 66A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 77mΩ | |
Pulserande drain-ström | 200A | |
Effektdissipation | 960W | |
Teknik | HiPerFET™, Polar3™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 0,19µC | |
Beredskapstid | 250ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.1 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N60P3Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 33.28 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 41.60 USD
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 27.05 USDBruttopris för kvantiteter från 10 st - 33.82 USD
Nettopris för kvantiteter från 20 st - 24.90 USDBruttopris för kvantiteter från 20 st - 31.12 USD
Nettopris för kvantiteter från 50 st - 23.07 USDBruttopris för kvantiteter från 50 st - 28.84 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st