IXFN82N60P
Modul; en enskild transistor; 600V; 72A; SOT227B; skruvad; 1040W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXFN82N60P
TMEs Symbol:
IXFN82N60P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | 600V | |
Dränspänning | 72A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 75mΩ | |
Pulserande drain-ström | 200A | |
Effektdissipation | 1,04kW | |
Teknik | HiPerFET™, Polar™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 240nC | |
Beredskapstid | 200ns | |
Port-källa spänning | ±40V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt29.69 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXFN82N60PAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 37.05 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 46.32 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 30.36 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 37.95 EUR
Nettopris för kvantiteter från 100 st - 28.46 EURBruttopris för kvantiteter från 100 st - 35.57 EUR
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st