+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

IXGN120N60A3

Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 600V; Ic: 120A; SOT227B

Dokumentation EN

Tillverkare: IXYS

Tillverkarens benämning:
IXGN120N60A3
TMEs Symbol:
IXGN120N60A3

Specifikation

Tillverkare
IXYS
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
en enskild transistor
Max backspänning
0,6kV
Kollektorström
120A
Kapsling
SOT227B
Elektriskt montage
skruvad
Spänning port - emitter
±20V
Kollektorström i impulsen
800A
Effektdissipation
595W
Teknik
GenX3™
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt30 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS
*
IXGN120N60A3
Produkten utgick ur sortimenet
Se specifikationstabellen nedan för att hitta liknande produkter