IXGN200N60B3
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXGN200N60B3
TMEs Symbol:
IXGN200N60B3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Max backspänning | 0,6kV | |
Kollektorström | 200A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 1,2kA | |
Effektdissipation | 830W | |
Teknik | GenX3™, PT | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.1 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXGN200N60B3Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 53.39 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 66.74 USD
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st