IXGN320N60A3
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXGN320N60A3
TMEs Symbol:
IXGN320N60A3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | ||
Typ av halvledarmodul | IGBT | ||
Halvledarstruktur | en enskild transistor | ||
Max backspänning | 0,6kV | ||
Kollektorström | 170A | ||
Kapsling | SOT227B | ||
Elektriskt montage | skruvad | ||
Spänning port - emitter | ±20V | ||
Kollektorström i impulsen | 1,2kA | ||
Effektdissipation | 735W | ||
Teknik | GenX3™, PT | ||
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt37.12 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXGN320N60A3Antal stycken (Multipel: 300)
0 i lager hos TME
Produkt på specialbeställning
Tillverkarens förpackningsmetodTub = 10 st