IXGN400N30A3
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 300V; Ic: 200A; SOT227B
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXGN400N30A3
TMEs Symbol:
IXGN400N30A3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Max backspänning | 300V | |
Kollektorström | 200A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 1,2kA | |
Effektdissipation | 735W | |
Teknik | GenX3™, PT | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt30 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS
* IXGN400N30A3Se specifikationstabellen nedan för att hitta liknande produkter
Produkten utgick ur sortimenet