+1 500 000 produkter som erbjuds

6000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Vi meddelar att den 26.07.2026 mellan kl. 02:00 - 04:00 (CEST) kan det förekomma problem med tillgång till webbsidan och on-linebeställningar. Vi ber om ursäkt för eventuella besvär.

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

Databehandling pågår

Din kreditgräns är öveskriden. Beställningen blev emottagen men kommer inte att exekveras. Tidplan för beställda artiklar kommer inte heller att fastställas. Kontakta TMEs personal.

Uppgiften utfördes med framgång.

Det uppstod ett oväntat fel. Försök igen.

Tillverkare	IXYS
Typ av halvledarmodul	transistor MOSFET
Halvledarstruktur	en enskild transistor
Drän-källa spänning	-200V
Dränspänning	-106A
Kapsling	SOT227B
Elektriskt montage	skruvad
Polaritet	enpolig
Ledresistans	30mΩ
Pulserande drain-ström	-400A
Effektdissipation	830W
Teknik	TrenchP™
Sort av kanal	anrikad
Portens laddning	740nC
Beredskapstid	300ns
Port-källa spänning	±15V
Mekaniskt montage	skruvad

IXTN120P20T

Modul; en enskild transistor; -200V; -106A; SOT227B; skruvad; 830W

Specifikation