IXTN120P20T
Modul; en enskild transistor; -200V; -106A; SOT227B; skruvad; 830W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXTN120P20T
TMEs Symbol:
IXTN120P20T
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | -200V | |
Dränspänning | -106A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 30mΩ | |
Pulserande drain-ström | -400A | |
Effektdissipation | 830W | |
Teknik | TrenchP™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 740nC | |
Beredskapstid | 300ns | |
Port-källa spänning | ±15V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt29.575 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXTN120P20TAntal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 66.21 USDBruttopris för kvantiteter från 1 st - 82.77 USD
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 58.47 USDBruttopris för kvantiteter från 3 st - 73.09 USD
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 52.58 USDBruttopris för kvantiteter från 10 st - 65.73 USD