IXTN170P10P
Modul; en enskild transistor; -100V; -170A; SOT227B; skruvad; 890W
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXTN170P10P
TMEs Symbol:
IXTN170P10P
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | transistor MOSFET | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Drän-källa spänning | -100V | |
Dränspänning | -170A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Polaritet | enpolig | |
Ledresistans | 14mΩ | |
Pulserande drain-ström | -510A | |
Effektdissipation | 890W | |
Teknik | PolarP™ | |
Sort av kanal | anrikad | |
Portens laddning | 240nC | |
Beredskapstid | 176ns | |
Port-källa spänning | ±30V | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt30 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PAntal stycken (Multipel: 300)
0 i lager hos TME
Produkt på specialbeställning