IXYN82N120C3
Modul: IGBT; en enskild transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
IXYN82N120C3
TMEs Symbol:
IXYN82N120C3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | en enskild transistor | |
Max backspänning | 1,2kV | |
Kollektorström | 46A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektriskt montage | skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 380A | |
Effektdissipation | 600W | |
Teknik | GenX3™, XPT™ | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt30 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXYN82N120C3Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 44.11 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 55.13 EUR
Nettopris för kvantiteter från 3 st - 39.70 EURBruttopris för kvantiteter från 3 st - 49.63 EUR
Nettopris för kvantiteter från 10 st - 35.11 EURBruttopris för kvantiteter från 10 st - 43.88 EUR