MID75-12A3
Modul: IGBT; diod/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
MID75-12A3
TMEs Symbol:
MID75-12A3
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | diod/transistor | |
Topologi | boost chopper | |
Max backspänning | 1,2kV | |
Kollektorström | 60A | |
Kapsling | Y4-M5 | |
Elektriskt montage | FASTON kontaktdon, skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 400A | |
Effektdissipation | 370W | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt111.5 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS
* MID75-12A3Se specifikationstabellen nedan för att hitta liknande produkter
Produkten utgick ur sortimenet