MII200-12A4
Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbrygga; Urmax: 1,2kV
Tillverkare: IXYS
Tillverkarens benämning:
MII200-12A4
TMEs Symbol:
MII200-12A4
Specifikation
Tillverkare | IXYS | |
Typ av halvledarmodul | IGBT | |
Halvledarstruktur | transistor/transistor | |
Topologi | IGBT-halvbrygga | |
Max backspänning | 1,2kV | |
Kollektorström | 180A | |
Kapsling | Y3-DCB | |
Användning | motorer | |
Elektriskt montage | FASTON kontaktdon, skruvad | |
Spänning port - emitter | ±20V | |
Kollektorström i impulsen | 360A | |
Effektdissipation | 1,13kW | |
Teknik | NPT | |
Mekaniskt montage | skruvad |
Bruttovikt10 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MII200-12A4Antal stycken (Multipel: 1)
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 1 st - 212.00 EURBruttopris för kvantiteter från 1 st - 265.00 EUR
Nettopris för kvantiteter från 4 st - 190.00 EURBruttopris för kvantiteter från 4 st - 237.51 EUR
Nettopris för kvantiteter från 6 st - 171.00 EURBruttopris för kvantiteter från 6 st - 213.75 EUR