+1 500 000 produkter som erbjuds

7000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

NXH450B100H4Q2F2PG

Modul: IGBT; SiC-diod/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Tillverkare: ONSEMI

Tillverkarens benämning:
NXH450B100H4Q2F2PG
TMEs Symbol:
NXH450B100H4Q2F2PG

Specifikation

Tillverkare
ONSEMI
Typ av halvledarmodul
IGBT
Halvledarstruktur
SiC-diod/transistor
Max backspänning
1kV
Kollektorström
450A
Användning
för UPS, växelriktare
Elektriskt montage
Press-Fit
Spänning port - emitter
±20V
Teknik
SiC
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt100 g
Certificates
Se övriga produkter i denna kategori: IGBT-moduler ONSEMI,
*
NXH450B100H4Q2F2PG
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 36 st - 180.17 USDBruttopris för kvantiteter från 36 st - 225.21 USD
Antal stycken (Multipel: 36)