GeneSiC SEMICONDUCTOR

Företaget GeneSiC Semiconductor grundades år 2002 i USA och från början fokuserade på utveckling, provning och tillverkning av innovativa komponenter inom den nya kiselkarbid-tekniken (SiC, från silicon carbide). Detta arbete har resulterat i framför allt SiC-dioder och transistorer som kännetecknas av små förluster, hög effektivitet och beständighet mot höga arbetstemperaturer. Dessa lösningar används överallt där förhållanden eller krav överstiger möjligheterna av den klassiska kiseltekniken - i synnerhet i omvandlare för förnybar energi, styrenheter med högeffekt som används inom industriell automation och kraftteknik samt i militära applikationer och flera andra områden.

I TMEs katalog finns en rad halvledarkomponenter från GenaSiC innehållande kiselkarbid. Dessa är bl.a.Schottky-dioder (både THT och SMD) med strömtålighet upp till 50A (400A i puls) samt diodmoduler (skruvade) med maximal framström upp till 420A (800A i puls). Ur leverantörens produktportfölj erbjuder vi också unipolära transistorer, MOSFET-moduler och liknande komponenter.