A1P50S65M2
Modul: IGBT; tranzistor/tranzistor; polomost IGBT x3; Urmax: 650V
Výrobca: STMicroelectronics
Označenie výrobcu:
A1P50S65M2
Symbol TME:
A1P50S65M2
Špecifikácie
Výrobca | STMicroelectronics | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Štruktúra polovodiča | tranzistor/tranzistor | |
Topológia | polomost IGBT x3, termistor NTC | |
Max. záverné napätie | 650V | |
Kolektorový prúd | 50A | |
Kryt | ACEPACK™1 | |
Použitie | invertor, motory | |
Elektrická montáž | Press-in PCB | |
Napätie hradlo - emitor | ±20V | |
Impulzný kolektorový prúd | 100A | |
Rozptýlenie energie | 208W | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto50 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Moduly IGBT STMicroelectronics,
* A1P50S65M2Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 43.05 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 52.96 EUR
Čistá cena pre množstvá od 5 ks - 42.13 EURHrubá cena pre množstvá od 5 ks - 51.81 EUR