A2C50S65M2
Modul: IGBT; dióda/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Výrobca: STMicroelectronics
Označenie výrobcu:
A2C50S65M2
Symbol TME:
A2C50S65M2
Špecifikácie
Výrobca | STMicroelectronics | ||
Typ polovodičového modulu | IGBT | ||
Štruktúra polovodiča | dióda/tranzistor | ||
Topológia | 3-fázový diódový mostík, boost chopper, polomost IGBT x3, termistor NTC | ||
Max. záverné napätie | 650V | ||
Kolektorový prúd | 50A | ||
Kryt | ACEPACK™2 | ||
Použitie | invertor, motory | ||
Elektrická montáž | Press-in PCB | ||
Napätie hradlo - emitor | ±20V | ||
Impulzný kolektorový prúd | 100A | ||
Rozptýlenie energie | 208W | ||
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto50 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Moduly IGBT STMicroelectronics,
* A2C50S65M2Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 76.79 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 94.45 USD