+1 500 000 produktov v ponuke

6000 zásielok denne

+300 000 klientov zo 150 krajín

Oznamujeme, že dňa 26.07.2026. v 02:00 - 04:00 (CEST) hod. sa môžu vyskytnúť problémy s prístupom na webovú stránku a s objednávkami on-line. Ospravedlňujeme sa za vzniknuté ťažkosti.

Prebieha spracovanie údajov

Váš kreditný limit bol prekročený. Objednávka bude prijatá, ale nebude realizovaná. Nebude tiež stanovený harmonogram dodávok pre objednané položky. Kontaktujte zamestnanca TME.

Operácia bola vykonaná úspešne.

Došlo k neočakávanej chybe. Skúste to ešte raz.

Výrobca	STMicroelectronics
Typ polovodičového modulu	IGBT
Štruktúra polovodiča	dióda/tranzistor
Topológia	3-fázový diódový mostík, boost chopper, polomost IGBT x3, termistor NTC
Max. záverné napätie	650V
Kolektorový prúd	50A
Kryt	ACEPACK™2
Použitie	invertor, motory
Elektrická montáž	Press-in PCB
Napätie hradlo - emitor	±20V
Impulzný kolektorový prúd	100A
Rozptýlenie energie	208W
Mechanická montáž	priskrutkovaním

A2C50S65M2

Modul: IGBT; dióda/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Špecifikácie