+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Quick Buy Любими
Кошница

2SC0108T2H0-17

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Производител: POWER INTEGRATIONS

Означение на производителя:
2SC0108T2H0-17
Символ TME:
2SC0108T2H0-17

Спецификация

Производител
POWER INTEGRATIONS
Тип на полупроводниковия модул
gate driver board
Топология
полумост IGBT, полумост MOSFET
Монтаж
щифтова рейка
Работна температура
-40...85°C
Технология
SCALE™-2+
Клас на напрежение
1,2kV
Честота
50kHz
Изходен ток
8A
Вид изход
драйвер IGBT
Захранващо напрежение
  • 14,5...15,5V DC
Свойства на интегралните схеми
  • галванично разделяне
  • интегриран преобразувател DC/DC
Бруто тегло50 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT POWER INTEGRATIONS,
*
2SC0108T2H0-17
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 50.77 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 60.92 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 47.24 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 56.69 USD
Нетна цена за количества от 30 бр. - 45.02 USDБрутна цена за количества от 30 бр. - 54.03 USD
Бройки (Кратност: 1)
Минимално количество, възможно за поръчване: 1.
Кратност: 1.