APT200GT60JR
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 600V; Ic: 100A; SOT227B
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APT200GT60JR
Символ TME:
APT200GT60JR
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 0,6kV | |
Ток на колектора | 100A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±30V | |
Ток на колектора в импулс | 600A | |
Технология | NPT, Thunderblot IGBT® | |
Вид опаковане | туба | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT200GT60JRИзползвайте таблицата със спецификации по-долу, за да намерите подобни продукти
Продуктът е изтеглен от офертата
Офертата е достъпна за влезли в системата клиенти