APT50GF120JRD
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APT50GF120JRD
Символ TME:
APT50GF120JRD
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | ||
Структура на полупроводника | единичен транзистор | ||
Обратно макс. напрежение | 1,2kV | ||
Ток на колектора | 64A | ||
Кутия | SOT227B | ||
Електрически монтаж | завинтване | ||
Напрежение гейт - емитер | ±30V | ||
Ток на колектора в импулс | 225A | ||
Технология | NPT | ||
Вид опаковане | туба | ||
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDИзползвайте таблицата със спецификации по-долу, за да намерите подобни продукти
Продуктът е изтеглен от офертата
Офертата е достъпна за влезли в системата клиенти