APT75GT120JRDQ3
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APT75GT120JRDQ3
Символ TME:
APT75GT120JRDQ3
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 1,2kV | |
Ток на колектора | 57A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 300A | |
Технология | NPT, POWER MOS 7® | |
Вид опаковане | туба | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GT120JRDQ3
0 в склад на TME
Бройки (Кратност: 1)
Нетна цена за количества от 1 бр. - 55.50 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 66.59 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 49.96 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 59.95 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 44.21 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 53.04 USD
Нетна цена за количества от 20 бр. - 41.99 USDБрутна цена за количества от 20 бр. - 50.39 USD