APT75GT120JRDQ3
Модул: IGBT; единичен транзистор; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APT75GT120JRDQ3
Символ TME:
APT75GT120JRDQ3
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип на полупроводниковия модул | IGBT | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Обратно макс. напрежение | 1,2kV | |
Ток на колектора | 57A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Напрежение гейт - емитер | ±20V | |
Ток на колектора в импулс | 300A | |
Технология | NPT, POWER MOS 7® | |
Вид опаковане | туба | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло30 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GT120JRDQ3Бройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 67.69 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 81.23 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 60.93 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 73.12 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 53.84 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 64.61 USD
Офертата е достъпна за влезли в системата клиенти