APTCV60HM45RCT3G
Модул; диод SiC/транзистор; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W
Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY
Означение на производителя:
APTCV60HM45RCT3G
Символ TME:
APTCV60HM45RCT3G
Спецификация
Производител | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET / IGBT | |
Структура на полупроводника | диод SiC/транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 600V | |
Ток на дрейна | 38A | |
Кутия | SP3F | |
Топология | 1-фазен диоден мост, мост Н, термистор NTC | |
Електрически монтаж | Press-in PCB | |
Съпротивление във включено състояние | 45mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 130A | |
Разсейвана мощност | 250W | |
Технология | CoolMOS™, Field Stop, SiC, Trench | |
Напрежение гейт-сорс | ±20V | |
Механичен монтаж | завинтване | |
Ток на колектора | 50A |
Бруто тегло110 g
Сертификати
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTCV60HM45RCT3GБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 162.23 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 194.68 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 145.24 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 174.28 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 129.01 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 154.82 USD
Офертата е достъпна за влезли в системата клиенти