+1 500 000 продукти в офертата

6000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Quick Buy Любими
Кошница

APTGT50H60RT3G

Модул: IGBT; диод/транзистор; 1-фазен диоден мост,мост Н; Ic: 50A

Производител: MICROCHIP TECHNOLOGY

Означение на производителя:
APTGT50H60RT3G
Символ TME:
APTGT50H60RT3G

Спецификация

Производител
MICROCHIP TECHNOLOGY
Тип на полупроводниковия модул
IGBT
Структура на полупроводника
диод/транзистор
Топология
1-фазен диоден мост, мост Н, термистор NTC
Обратно макс. напрежение
0,6kV
Ток на колектора
50A
Кутия
SP3F
Приложение
фотоволтаик
Електрически монтаж
Press-in PCB
Напрежение гейт - емитер
±20V
Ток на колектора в импулс
100A
Технология
Field Stop, Trench
Механичен монтаж
завинтване
Бруто тегло110 g
Сертификати

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка

Вижте другите продукти от тази категория: Модули IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTGT50H60RT3G
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 14 бр. - 56.50 EURБрутна цена за количества от 14 бр. - 67.79 EUR
Бройки (Кратност: 14)