+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Информираме, че на 16.09.2026 в 22.00 - 24.00 (CEST) часа може да се появят проблеми с достъпа до Интернет сайта и с поръчките on-line. Извиняваме се за затрудненията.

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	MICROCHIP TECHNOLOGY
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	диод/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1kV
Ток на дрейна	110A
Кутия	SP6C
Топология	единичен транзистор + успореден диод + последователен диод
Електрически монтаж	завинтване, конектори FASTON
Съпротивление във включено състояние	78mΩ
Ток на дрейна при импулс	580A
Разсейвана мощност	3,25kW
Технология	POWER MOS 7®
Напрежение гейт-сорс	±30V
Механичен монтаж	завинтване

APTM100UM65SAG

Модул; диод/транзистор; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3,25kW; Ugs: ±30V

Спецификация

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка