+1 500 000 продукти в офертата

6000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	MICROCHIP TECHNOLOGY
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	диод SiC/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1kV
Ток на дрейна	110A
Кутия	SP6
Топология	единичен транзистор + успореден диод + последователен диод
Електрически монтаж	завинтване
Съпротивление във включено състояние	78mΩ
Ток на дрейна при импулс	580A
Разсейвана мощност	3,25kW
Технология	POWER MOS 7®, SiC
Напрежение гейт-сорс	±30V
Механичен монтаж	завинтване

APTM100UM65SCAVG

Модул; диод SiC/транзистор; 1kV; 110A; SP6; завинтване; Idm: 580A

Спецификация

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка