+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	MICROCHIP TECHNOLOGY
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	диод SiC/транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1,2kV
Ток на дрейна	86A
Кутия	SP6
Топология	единичен транзистор + успореден диод + последователен диод
Електрически монтаж	завинтване
Съпротивление във включено състояние	0,12Ω
Ток на дрейна при импулс	464A
Разсейвана мощност	3,29kW
Технология	POWER MOS 7®, SiC
Напрежение гейт-сорс	±30V
Механичен монтаж	завинтване

APTM120U10SCAVG

Модул; диод SiC/транзистор; 1,2kV; 86A; SP6; завинтване; Idm: 464A

Спецификация

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. е вносител на продуктите на тази марка