+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1,7kV
Ток на дрейна	70A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	20mΩ
Ток на дрейна при импулс	300A
Разсейвана мощност	523W
Технология	G3R™, SiC
Вид на канала	обoгатяване
Напрежение гейт-сорс	-5...15V
Механичен монтаж	завинтване

G3R20MT17N

Модул; единичен транзистор; 1,7kV; 70A; SOT227B; завинтване; 523W

Спецификация