IXFN100N50P
Модул; единичен транзистор; 500V; 75A; SOT227B; завинтване; 1,04kW
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN100N50P
Символ TME:
IXFN100N50P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 500V | |
Ток на дрейна | 75A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 49mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 250A | |
Разсейвана мощност | 1,04kW | |
Технология | HiPerFET™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 240nС | |
Време за готовност | 200ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.07 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PБройки (Кратност: 1)
278 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 39.00 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 46.81 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 37.51 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 45.00 EUR
Нетна цена за количества от 30 бр. - 36.00 EURБрутна цена за количества от 30 бр. - 43.21 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.