IXFN100N50Q3
Модул; единичен транзистор; 500V; 82A; SOT227B; завинтване; 960W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN100N50Q3
Символ TME:
IXFN100N50Q3
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 500V | |
Ток на дрейна | 82A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 49mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 300A | |
Разсейвана мощност | 960W | |
Технология | HiPerFET™, Q3-Class | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 255nС | |
Време за готовност | 250ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло35.83 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Бройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 74.06 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 88.87 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 65.42 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 78.50 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 58.76 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 70.51 USD