+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	650V
Ток на дрейна	78A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	30mΩ
Ток на дрейна при импулс	200A
Разсейвана мощност	595W
Технология	HiPerFET™, X2-Class
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	183nС
Време за готовност	200ns
Напрежение гейт-сорс	±40V
Механичен монтаж	завинтване

IXFN100N65X2

Модул; единичен транзистор; 650V; 78A; SOT227B; завинтване; 595W

Спецификация