IXFN102N30P
Модул; единичен транзистор; 300V; 86A; SOT227B; завинтване; 570W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN102N30P
Символ TME:
IXFN102N30P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 300V | |
Ток на дрейна | 86A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 33mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 250A | |
Разсейвана мощност | 570W | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 224nС | |
Време за готовност | 200ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло36.99 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN102N30PБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 24.12 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 28.94 EUR
Нетна цена за количества от 2 бр. - 23.03 EURБрутна цена за количества от 2 бр. - 27.64 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 22.08 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 26.50 EUR
Нетна цена за количества от 5 бр. - 20.51 EURБрутна цена за количества от 5 бр. - 24.62 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 19.35 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 23.22 EUR