IXFN110N85X
Модул; единичен транзистор; 850V; 110A; SOT227B; завинтване; 1170W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN110N85X
Символ TME:
IXFN110N85X
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 850V | |
Ток на дрейна | 110A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 33mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 220A | |
Разсейвана мощност | 1,17kW | |
Технология | HiPerFET™, X-Class | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 425nС | |
Време за готовност | 205ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.29 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85XБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 81.46 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 97.75 USD
Нетна цена за количества от 5 бр. - 75.16 USDБрутна цена за количества от 5 бр. - 90.19 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 72.54 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 87.04 USD
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.