IXFN160N30T
Модул; единичен транзистор; 300V; 130A; SOT227B; завинтване; 900W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN160N30T
Символ TME:
IXFN160N30T
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 300V | |
Ток на дрейна | 130A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 19mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 444A | |
Разсейвана мощност | 900W | |
Технология | GigaMOS™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 376nС | |
Време за готовност | 200ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло35.8 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN160N30TБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 25.55 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 30.66 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 23.18 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 27.81 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.