IXFN20N120P
Модул; единичен транзистор; 1,2kV; 20A; SOT227B; завинтване; 595W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN20N120P
Символ TME:
IXFN20N120P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 1,2kV | |
Ток на дрейна | 20A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 570mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 50A | |
Разсейвана мощност | 595W | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 193nС | |
Време за готовност | 300ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.11 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PБройки (Кратност: 1)
17 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 13.76 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 16.51 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 13.13 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 15.75 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 13.10 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 15.72 EUR
Продуктът е достъпен само до изчерпване на складовите количества
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.