IXFN210N20P
Модул; единичен транзистор; 200V; 188A; SOT227B; завинтване; 1070W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN210N20P
Символ TME:
IXFN210N20P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 200V | |
Ток на дрейна | 188A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 10,5mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 600A | |
Разсейвана мощност | 1,07kW | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 255nС | |
Време за готовност | 200ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.01 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN210N20PБройки (Кратност: 1)
291 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 35.11 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 42.13 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 33.80 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 40.56 EUR
Нетна цена за количества от 20 бр. - 32.61 EURБрутна цена за количества от 20 бр. - 39.13 EUR
Нетна цена за количества от 50 бр. - 31.30 EURБрутна цена за количества от 50 бр. - 37.56 EUR
Нетна цена за количества от 100 бр. - 30.11 EURБрутна цена за количества от 100 бр. - 36.13 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.