IXFN26N100P
Модул; единичен транзистор; 1kV; 23A; SOT227B; завинтване; Idm: 65A
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN26N100P
Символ TME:
IXFN26N100P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 1kV | |
Ток на дрейна | 23A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 390mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 65A | |
Разсейвана мощност | 595W | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 197nС | |
Време за готовност | 300ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.04 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N100P
6 в склад на TME
Бройки (Кратност: 1)
Нетна цена за количества от 1 бр. - 40.85 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 49.01 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 36.05 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 43.26 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 32.41 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 38.89 USD
Метод на опаковане от страна на производителя:Туба = 10 бр.