IXFN30N120P
Модул; единичен транзистор; 1,2kV; 30A; SOT227B; завинтване; 890W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN30N120P
Символ TME:
IXFN30N120P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 1,2kV | |
Ток на дрейна | 30A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 0,35Ω | |
Ток на дрейна при импулс | 75A | |
Разсейвана мощност | 890W | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 310nС | |
Време за готовност | 300ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло36.6 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN30N120PБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 69.96 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 83.95 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 61.85 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 74.22 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 55.55 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 66.66 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.