IXFN32N100P
Модул; единичен транзистор; 1kV; 27A; SOT227B; завинтване; Idm: 75A
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN32N100P
Символ TME:
IXFN32N100P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 1kV | |
Ток на дрейна | 27A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 0,32Ω | |
Ток на дрейна при импулс | 75A | |
Разсейвана мощност | 690W | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 225nС | |
Време за готовност | 300ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.01 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100PБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 26.26 GBPБрутна цена за количества от 1 бр. - 31.51 GBP
Нетна цена за количества от 3 бр. - 24.34 GBPБрутна цена за количества от 3 бр. - 29.21 GBP
Нетна цена за количества от 10 бр. - 23.15 GBPБрутна цена за количества от 10 бр. - 27.78 GBP
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.