IXFN32N80P
Модул; единичен транзистор; 800V; 29A; SOT227B; завинтване; 625W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN32N80P
Символ TME:
IXFN32N80P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 800V | |
Ток на дрейна | 29A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 0,27Ω | |
Ток на дрейна при импулс | 250A | |
Разсейвана мощност | 625W | |
Технология | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 150nС | |
Време за готовност | 250ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло36.98 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80P
0 в склад на TME
Бройки (Кратност: 1)
Нетна цена за количества от 1 бр. - 29.43 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 35.32 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 26.54 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 31.84 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 23.35 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 28.01 EUR
Метод на опаковане от страна на производителя:Туба = 10 бр.