IXFN32N80P
Модул; единичен транзистор; 800V; 29A; SOT227B; завинтване; 625W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN32N80P
Символ TME:
IXFN32N80P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 800V | |
Ток на дрейна | 29A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 0,27Ω | |
Ток на дрейна при импулс | 250A | |
Разсейвана мощност | 625W | |
Технология | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 150nС | |
Време за готовност | 250ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло36.98 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 34.24 USDБрутна цена за количества от 1 бр. - 41.09 USD
Нетна цена за количества от 3 бр. - 30.88 USDБрутна цена за количества от 3 бр. - 37.05 USD
Нетна цена за количества от 10 бр. - 27.16 USDБрутна цена за количества от 10 бр. - 32.59 USD
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.