IXFN360N15T2
Модул; единичен транзистор; 150V; 310A; SOT227B; завинтване; 1070W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN360N15T2
Символ TME:
IXFN360N15T2
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 150V | |
Ток на дрейна | 310A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 4mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 900A | |
Разсейвана мощност | 1,07kW | |
Технология | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 715nС | |
Време за готовност | 150ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.17 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN360N15T2Бройки (Кратност: 300)
0 в склад на TME
Продукт на специална поръчка
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.