+1 500 000 продукти в офертата

7000 пратки, изпращани всеки ден

+300 000 клиенти от 150 държави

Регистрирай се

Активен процес на обработка на данни

Вашият кредитен лимит е превишен. Поръчката ще бъде приета, но няма да бъде реализирана. Няма да бъде определен график за доставка на поръчаните артикули. Свържете се със служител на TME.

Операцията бе извършена успешно.

Неочаквана грешка. Моля, опитайте пак.

Производител	IXYS
Тип на полупроводниковия модул	транзистори MOSFET
Структура на полупроводника	единичен транзистор
Напрежение дрейн - сорс	1kV
Ток на дрейна	38A
Кутия	SOT227B
Електрически монтаж	завинтване
Поляризация	униполарен
Съпротивление във включено състояние	0,21Ω
Ток на дрейна при импулс	120A
Разсейвана мощност	1kW
Технология	HiPerFET™, Polar™
Вид на канала	обoгатяване
Заряд на гейта	0,35µС
Време за готовност	300ns
Напрежение гейт-сорс	±40V
Механичен монтаж	завинтване

IXFN38N100P

Модул; единичен транзистор; 1kV; 38A; SOT227B; завинтване; 1000W

Спецификация