IXFN52N100X
Модул; единичен транзистор; 1kV; 44A; SOT227B; завинтване; 830W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN52N100X
Символ TME:
IXFN52N100X
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 1kV | |
Ток на дрейна | 44A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 0,125Ω | |
Ток на дрейна при импулс | 100A | |
Разсейвана мощност | 830W | |
Технология | HiPerFET™, X-Class | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 245nС | |
Време за готовност | 260ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло35.82 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN52N100XБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 53.40 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 64.08 EUR
Нетна цена за количества от 10 бр. - 46.20 EURБрутна цена за количества от 10 бр. - 55.44 EUR
Нетна цена за количества от 100 бр. - 40.61 EURБрутна цена за количества от 100 бр. - 48.73 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.