IXFN55N50
Модул; единичен транзистор; 500V; 55A; SOT227B; завинтване; 625W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN55N50
Символ TME:
IXFN55N50
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 500V | |
Ток на дрейна | 55A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 80mΩ | |
Ток на дрейна при импулс | 220A | |
Разсейвана мощност | 625W | |
Технология | HiPerFET™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 330nС | |
Време за готовност | 250ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±40V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло36.7 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN55N50Бройки (Кратност: 300)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 300 бр. - 25.22 GBPБрутна цена за количества от 300 бр. - 30.26 GBP