IXFN60N80P
Модул; единичен транзистор; 800V; 53A; SOT227B; завинтване; 1040W
Производител: IXYS
Означение на производителя:
IXFN60N80P
Символ TME:
IXFN60N80P
Спецификация
Производител | IXYS | |
Тип на полупроводниковия модул | транзистори MOSFET | |
Структура на полупроводника | единичен транзистор | |
Напрежение дрейн - сорс | 800V | |
Ток на дрейна | 53A | |
Кутия | SOT227B | |
Електрически монтаж | завинтване | |
Поляризация | униполарен | |
Съпротивление във включено състояние | 0,14Ω | |
Ток на дрейна при импулс | 150A | |
Разсейвана мощност | 1,04kW | |
Технология | HiPerFET™, Polar™ | |
Вид на канала | обoгатяване | |
Заряд на гейта | 250nС | |
Време за готовност | 250ns | |
Напрежение гейт-сорс | ±30V | |
Механичен монтаж | завинтване |
Бруто тегло37.31 g
Сертификати
Вижте другите продукти от тази категория: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PБройки (Кратност: 1)
0 в склад на TME
Нетна цена за количества от 1 бр. - 39.73 EURБрутна цена за количества от 1 бр. - 47.68 EUR
Нетна цена за количества от 2 бр. - 38.24 EURБрутна цена за количества от 2 бр. - 45.88 EUR
Нетна цена за количества от 3 бр. - 36.84 EURБрутна цена за количества от 3 бр. - 44.21 EUR
Нетна цена за количества от 5 бр. - 35.64 EURБрутна цена за количества от 5 бр. - 42.77 EUR
Метод на опаковане от страна на производителяТуба = 10 бр.